超宽禁带半导体氧化镓在功率和射频领域具有重要应用价值。而低的热导率是氧化镓器件应用的卡点。本次报告利用智能剥离异质集成技术实现了晶圆级氧化镓单晶薄膜与高导热硅、碳化硅、金刚石衬底异质集成，已应用于高性能的功率和射频器件,并展示出优异的功率和射频特性及热稳定性。器件热分析表明，相同功率下高导热氧化镓器件具有极低的结温和器件热阻。智能剥离异质集成技术为氧化镓热管理提供了创新解决方案。

Biography

徐文慧，中国科学院上海微系统所助理研究员，中国科学院百篇优博获得者，入选2023年博士后创新人才计划和上海市超级博士后。长期从事氧化镓与高导热衬底异质集成技术研究，先后主持青年基金，上海市战略前沿专项课题，博士后面上基金等项目。荣获中国半导体十大研究进展提名奖、中国科学院上海分院2023年度科技创新“十大进展” 等荣誉奖励。相关成果入选2022年上海市科技进步报告，两次被著名杂志《Compound Semiconductor》专题报道。