|
报告人:陈端阳(红外材料、2020届博士毕业生、留所工作)导师:齐红基研究员
报告题目:KDP类晶体的快速生长与设计
|
报告时间:2020年11月11日下午14:00
|
报告地点:1号楼羲和厅(原多功能厅) | | |
围绕国家重大专项对光学元器件的迫切需求,以解决高功率激光驱动器急需的大尺寸DKDP晶体生长技术为研究对象,针对快速生长DKDP晶体中存在的柱锥交界面问题,创新性的提出无柱锥交界面的DKDP晶体快速生长方法,成功生长出大口径无柱锥交界面的DKDP晶体,为国际高功率激光装置所需的DKDP晶体生长提供了新方案,并通过精密热退火进一步提升了晶体的性能。报告的最后,结合自身的科研情况,给研究内容偏工程类的师弟师妹们提出了一些建议。
|
个人学习经历:
2010.09-2014.06中国计量大学 学士学位
2015.09-2016.06中国科学技术大学(代培)
2016.08-2020.06
博士学位
获奖情况:
2017-2018学年 中国科学院大学三好学生
2020年 上海光机所正荣奖学金
2020年 中国科学院大学朱李月华优秀博士生奖
2020年 上海市优秀毕业生
代表性论文:
1. Duanyang Chen, et al, "Investigation of the pyramid–prism boundary of a rapidly grown KDP crystal," CrystEngComm. 21(2019);
2. Duanyang Chen, et al, "Rapid Growth of a Cuboid DKDP (KDxH2–xPO4) Crystal." Cryst. Growth Des. 19(2019);
3. Duanyang Chen, et al,"Effect of thermal annealing on a cuboid DKDP crystal." J. Alloy. Comp. 817(2019);
4.Duanyang Chen, et al," Rapid growth of a long-seed KDP crystal." High Power Laser Sci. 8(2020).
联系方式:
Email:chenduanyang@siom.ac.cn |
|